HPI瀚薪科技 Wide Band Gap 寬能隙

瀚薪科技發展以寬能隙(Wide Band-gap)材料為基礎的功率半導體元件,具備高耐壓電場、高飽和電子速度,以及高導熱係數等優異元件特徵,因而更適合高功率、高頻率及高溫環境的應用,並對於系統電力消耗有顯著改善之效益。

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優良中小企業獎

「瀚薪科技」榮獲2015 TAIRONICS
科技創新金牌獎

瀚薪科技以自主專利技術,成功開發高效率整合型1200V SiC金氧半場效電晶體(MOSFET),榮獲2015年「TAITRONICS科技創新獎」金牌獎之殊榮。

本技術產品之成功開發,有望為電力電子系統帶來更優異之效能與成本優勢。

優良中小企業獎

「瀚薪科技」榮獲2014台灣區電機電子
優良中小企業獎

由台灣區電機電子同業公會所舉辦的「TEEMA 台灣優良中小企業 2014」優良企業選拔,針對汽車電子、通訊、LED產品、電子零組件及其它等五個產業,評選出深具領先創新傑出的產品。

瀚薪科技以傑出創新產品及掌握關鍵技術,在此次選評中榮獲「優良中小企業獎」,並獲得各界肯定。

金牌獎

「瀚薪科技」榮獲2014台北國際車用電子展
勇奪「創新產品獎」金牌獎

瀚薪科技以「高功率650V 120A 碳化矽蕭特基二極體元件」,首度參賽即拿下2014台北國際車用電子展4組分類競賽中的「創新產品獎」金牌獎,肯定瀚薪科技在SiC碳化矽材料的發展技術與環保意圖。

本產品成功突破100A之導通能力,以小型化單晶片之方式,提供更佳的模組整合搭配,並採用同欣電子開發之高溫陶瓷DPC基板技術封裝,更能符合車輛應用175℃以上高溫操作之應用需求,而在115件參賽作品中脫穎而出,實非僥倖。

 

About Us

  • 瀚薪科技核心技術研發團隊來自工研院電光所,主要研發方向為SiC與GaN 功率元件開發,為專研小型化、低功耗與高效率之節能元件,相較於矽(Si)功率半導體,提供更高的電源轉換效率。

  • 目前研發團隊共有多位電子、材料及化工領域博士群,分別帶領元件設計及製程整合團隊,進行關鍵技術發產與產業鏈整合。

產品應用

  • 中高功率半導體元件設計開發,以SiC二極體與開關元件相關產品研製為起始,產品規畫涵蓋GaN功率半導體元件、Si-based高功率半導體元件與模組解決方案提供。

  • 亦可針對客戶需求,客製化開發特殊規格或具高整合性的寬能隙功率半導體產品與應用解決方案。

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  • 瀚薪科技股份有限公司

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    10F.-2, No.27, Guanxin Rd., East Dist., Hsinchu City 300, Taiwan (R.O.C.)
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