重要國際會議論文發表

會議名稱
年度
論文名稱
發表時間
場次
說明
IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
2013
A novel 4H-SiC trench MOS barrier Schottky rectifier fabricated by a two-mask process
2013.05
Session WB-P
本公司研究團隊於工研院時期發表在功率元件最大型之國際研討會議論文。此論文展現低成本方式達成高耐壓之TMBS二極體元件 
2014
Simulation and Characteristics of 4H-SiC Termination with P-Well Enclosure in P-Plus Floating Guard Rings for 1700V DMOSFETs
2014.06
 
 
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2013 SiC epi-channel lateral MOSFETs 2013.09 Session 
Th-P
碳化矽及相關材料最為著名之國際研討會議論文。此論文展現以埋層通道獲得高電子移動率之DMOS元件 
Comparative study of 4H-SiC DMOSFETs with N2O thermal oxide and deposited oxide with post oxidation anneal 2013.09

Session 
We-P

碳化矽及相關材料最為著名之國際研討會會議論文。本論文展現DMOS元件之閘層氧化缺陷與製程改良探討
會議名稱
年度
論文名稱
作者
發表時間
European conference on silicon carbide & related materials (ECSCRM) 2012 An Improvement of Trench Profile of 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier K. W. Chu, C. T. Yen, Patrick Chung, C. Y. Lee, Tony Huang, C. F. H. Huang 2012.09
Important Parameters affecting the Accurate Simulation on Mobility and Threshold Voltage of SiC MOSFET C. Y. Lee , C. C. Hung, Y. S. Chen, C. T. Yen, L. S. Lee 2012.09
Simulation and optimization of 4H-SiC DMOSFET power transistors C. C. Hung, Y. S. Chen, C. T. Yen, C. Y. Lee, L. S. Lee, M.J. Tsai 2012.09
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS Mantech) 2012 Novel Normally-off GaN HEMT Device Structure by Using Nano-rods Technology C. Y. Lee, C. C. Hung, L. S. Lee, C. T. Yen, S. F. Lin, R. Xuan, W. H. Kuo, T. K. Ku, M. J. Tsai 2012.04
Characteristics of 4H-SiC Dual Metal and MOS Trench Schottky Rectifiers C. T. Yen, Y. S. Chen, C. Y. Lee, C. C. Hung, L. S. Lee, T. M. Yang, K. W. Chu, M. J. Tsai, T. K. Ku 2012.04
MRS Fall Meeting 2011 Performance Comparison and Design Issue on Different GaN Power Transistor Structures C. Y. Lee, Y. S. Chen, L. S. Lee, C. C. Hung, C. T. Yen, S. F. Lin, R. Xuan, W. H. Kuo, T. K. Ku, M. J. Tsai 2011
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2011 Performance Comparison of GaN Power Transistors and Investigation on the Device Design Issues C. Y. Lee, Y. H. Chen, L. S. Lee, C. C. Hung, C. T. Yen, S. F. Lin, R. Xuan, W. H. Kuo, T. K. Ku, M. J. Tsai 2011.09

 

受邀車用電子相關研討會演講

•下世代電力電子元件發展規畫論壇

•主辦單位:財團法人國家實驗研究院
•活動日期:2014.04.30/ 瀚薪科技 李傳英總經理

•智慧車用與醫療電子應用技術發展與市場趨勢研討會

– [車用電子應用技術發展與市場趨勢]場次

•主辦單位:經濟部工業局智慧電子產業推動辦公室、工研院資通所、台灣半導體產業協會
•活動日期:2013.03.24
•講題:電動車高功率元件技術 / 瀚薪科技 李傳英總經理
•2013(第八屆)經台汽車電子論壇 - 汽車電子技術研究與產業合作論壇
•主辦單位:台灣區電機電子工業同業公會、北京汽車行業協會、北京墊子商會
•活動日期:2013.11.27
•講題:車用功率半導體發展 / 瀚薪科技  李傳英總經理
•2014產業協同商務創新研討會 - 創新戰略群聚
•主辦單位:台灣區電機電子工業同業公會
•活動日期:2013.12.17
•講題:高頻高功率汽車電子應用 / 瀚薪科技  李傳英總經理

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  • 瀚薪科技核心技術研發團隊來自工研院電光所,主要研發方向為SiC與GaN 功率元件開發,為專研小型化、低功耗與高效率之節能元件,相較於矽(Si)功率半導體,提供更高的電源轉換效率。

  • 目前研發團隊共有多位電子、材料及化工領域博士群,分別帶領元件設計及製程整合團隊,進行關鍵技術發產與產業鏈整合。

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  • 中高功率半導體元件設計開發,以SiC二極體與開關元件相關產品研製為起始,產品規畫涵蓋GaN功率半導體元件、Si-based高功率半導體元件與模組解決方案提供。

  • 亦可針對客戶需求,客製化開發特殊規格或具高整合性的寬能隙功率半導體產品與應用解決方案。

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