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氮化鎵功率半導體

為新興崛起的新一代寬能隙材料,氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)具備了絕佳的高頻切換特性,為高功率密度需求的電力電子應用與飛躍的性能要求,實現更高效能而緊湊的設計,並帶來無限發展潛能。