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氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體 | GaN HEMT

化鎵高速電子遷移率場效電晶體(Gallium Nitrid High Electron Mobility Tansistor;GaN-HEMT),具備低導通電阻與高速的開關頻率特性,可應用於5G基地台系統、高頻DC/DC變流器,以及高功率密度需求的電源系統,為高效率與小型化系統設計帶來實現的契機。請進入聯繫我們獲取更多資訊…