產品

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顧過去半導體元件材料的發展,以矽(Silicon)為最主要的材料,而隨著電力電子應用的高效率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等需求,傳統的矽基功率元件規格已面臨其材料上的物理極限,諸如碳化矽(Silicon Carbide;SiC)以及氮化鎵(Gallium Nitride;GaN)等新一代寬能隙(Wide Band Gap)材料的技術發展則為下一代更節能環保的系統應運而生。

碳化矽(Silicon Carbide;SiC)元件具備高導熱的材料特性,可在高溫環境下正常運作,加上其寬能隙材料的耐高壓與高頻操作元件優勢,適用於高效率要求之大功率電力電子應用。透過碳化矽功率半導體零件之採用,可有效改善系統效率、提升系統功率密度,並為電力電子系統的小型化與可靠性帶來充分的效益。
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